En plein centenaire, IBM a annoncé développer une mémoire de stockage nouvelle génération réactive et endurante.
Les chercheurs d’IBM ont ainsi
annoncé avoir mis au point une mémoire de stockage nouvelle génération
en utilisant la technologie «à changement de phase». Elle consiste
globalement à exploiter la variation de résistance dans un matériau. En
fonction de la résistance, on stocke des combinaisons de bit 00, 01, 10
ou 11.
Les chercheurs ont réussi à créer une mémoire non volatile, un peu
comme l’est la mémoire flash. C’est à dire qu’elle ne nécessite pas
d’être alimentée pour stocker, alors que c’est le cas pour la mémoire
classique, la mémoire vive. Ainsi, les temps de latence sont divisés par
100 par rapport à la mémoire flash. Le nombre de cycles de
lecture/écriture se compte désormais en millions et non plus en
milliers.
C’est une véritable révolution dont pourraient profiter les
ordinateurs personnels et les téléphones intelligents. Cela permettrait
d’avoir un démarrage instantané et un accès instantané aux données, tout
comme pour l’infonuagique.
Comble du bonheur, selon ces mêmes chercheurs, le coût de fabrication
de cette mémoire de stockage nouvelle génération serait assez bas. Les
prix pourraient donc baisser un peu.
Il n’est pas encore question d’une production et exploitation à l’échelle planétaire mais cela viendra sans doute.