Intel présente sa première puce de mémoire flash NAND de 8 Go gravée à 20 nanomètres!
Staff - Branchez-vous.com
En association avec Micron,
Intel vient de réussir un petit exploit en matière de miniaturisation,
qui devrait renforcer sa position dans le marché des appareils mobiles
grâce au développement d’une méthode de gravure NAND «la plus fine et la
plus évoluée du marché».
Depuis la mi-2010, Intel n’était
qu’en mesure de produire des puces à 25 nanomètres (nm), alors que
d’autres entreprises telles que Toshiba ou SanDisk en concevaient à 24
nanomètres. La coentreprise d’Intel et de Micron, IM Flash Technology, a
donc franchi un pas de géant en atteignant une finesse de 20
nanomètres.
L’avantage d’une puce de mémoire flash NAND multi niveaux de 8 Go est
sa grande capacité de stockage de contenu multimédia, malgré son petit
format. Par ailleurs, sa petite taille de 18 millimètres carrés (contre
les 167 mm² des puces à 25 nm) permet aux constructeurs de l’intégrer
dans des appareils portables, comme des tablettes, des téléphones
intelligents ou des disques SSD (Solid State Drive) miniaturisés.
IMFT indique aussi que sa taille «permet une réduction de 30 à 40% de
l’espace nécessaire sur la carte mère (selon le type de
conditionnement) par rapport à une cellule en 25 nm de 8 Go existante».
L’économie d’espace leur permettra d’intégrer de nouveaux éléments, tels
que des caméras, une plus grosse batterie, etc.
La production des puces de 20 nanomètres devrait débuter vers la fin
de 2011, mais cette avancée technologie a donné de l’ambition à Intel et
Micron. Ils prévoient annoncer d’ici quelques mois l’arrivée de puces
de 16 Go, «qui se traduira par une capacité de 128 Go pour une solution
SSD plus petite qu’un timbre».
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